特許
J-GLOBAL ID：200903056469437613

拡張された活性領域の有効幅を有する半導体装置及びその製造方法

発明者：
李 康潤

李 康潤 について

, 
朴 鍾佑

朴 鍾佑 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331596
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198532
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板の上側表面だけではなく、トレンチの上側側壁部分をチャネルとして利用でき、拡張された活性領域の有効幅を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100を選択的にエッチングして形成されたトレンチ200と、トレンチ200の一部を埋め込んでトレンチ200の上側側壁205部分を露出させる素子分離膜500′と、露出されるトレンチ200の上側側壁部分及びトレンチ200に隣接する半導体基板100の上側表面105上に形成されたゲート絶縁膜700、及びゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極800を含む半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板を選択的にエッチングして形成されたトレンチと、前記トレンチの一部を埋め込んで前記トレンチの上側側壁部分を露出させる素子分離膜と、前記露出されるトレンチの上側側壁部分及び前記トレンチに隣接する前記半導体基板の上側表面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/76
FI (3件)：
H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 R ,  H01L 21/76 L
Fターム (25件)：
5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032BA01 ,  5F032BA08 ,  5F032CA17 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA77 ,  5F032DA78 ,  5F140AA29 ,  5F140BA01 ,  5F140BB03 ,  5F140BB05 ,  5F140BB13 ,  5F140BC07 ,  5F140BC15 ,  5F140BF44 ,  5F140CB04 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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