レジスト保護膜材料及びパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137257
公開番号（公開出願番号）：特開2007-233322
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【解決手段】一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含むレジスト保護膜材料。(R1は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、R2、R3、R4は水素原子、又は炭素数1〜20直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はフルオロアルキル基から選ばれ、R2、R3、R4の内少なくとも一つは一つ以上のフッ素で置換されたフルオロアルキル基、かつ少なくとも一つはフッ素を含まないアルキル基、かつR2、R3、R4の内2個以上が水素原子になることがない。)【効果】本発明のレジスト保護膜材料を用いたパターン形成方法によれば、レジスト膜上に形成されるレジスト保護膜が、非水溶性でアルカリ水溶液(アルカリ現像液)に溶解可能で、しかもレジスト膜とミキシングしないものであるので、良好な液浸リソグラフィーを行えて、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。

IPC (2件)：

G03F 7/11 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F7/11 501 , H01L21/30 575

Fターム (6件)：

2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025DA02 , 2H025FA01 , 2H025FA17 , 5F046JA22

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭62-62520号公報
特開昭62-62521号公報
特開昭60-38821号公報

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