特許
J-GLOBAL ID：200903044799219720

窒化物半導体素子

発明者：
中原 健

中原 健 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-032993
公開番号（公開出願番号）：特開2007-214384
出願日： 2006年02月09日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】 厚みの薄いn型半導体層を備え、発光性に優れた窒化物半導体素子を提供する。 【解決手段】本発明に係る窒化物半導体素子は、少なくともn電極、n型半導体層、活性層、p型半導体層を順に備える窒化物半導体素子であって、n型半導体層は、電子濃度が、5×1016cm-3以上、5×1018cm-3以下のn型不純物ドープGaNからなるn型GaNコンタクト層と、n型GaNコンタクト層の一方の主面上に設けられたn電極と、n型GaNコンタクト層の他方の主面上に設けられ、該n型GaNコンタクト層との界面に電子を蓄積する電子蓄積層を発生させるAlxGa1-xN(0<x<1)又はInxGa1-xN(0<x<1)の少なくともいずれか一方からなる発生層とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくともn電極、n型半導体層、活性層、p型半導体層を順に備える窒化物半導体素子であって、 前記n型半導体層は、電子濃度が、5×1016cm-3以上、5×1018cm-3以下のn型不純物ドープGaNからなるn型GaNコンタクト層と、 前記n型GaNコンタクト層の一方の主面上に設けられた前記n電極と、 前記n型GaNコンタクト層の他方の主面上に設けられ、該n型GaNコンタクト層との界面に電子を蓄積する電子蓄積層を発生させるAlxGa1-xN(0<x<1)、又は、InxGa1-xN(0<x<1)の少なくともいずれかからなる発生層とを備えることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (6件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA05 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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