特許
J-GLOBAL ID：200903013054252323

半導体装置および半導体発光素子

発明者：
橋本 茂樹

橋本 茂樹 について

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簗嶋 克典

簗嶋 克典 について

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池田 昌夫

池田 昌夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041708
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244070
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。【解決手段】 互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、そのヘテロ界面に、バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層または組成傾斜層を挿入する。GaN系半導体レーザでは、n型GaNコンタクト層4とn型AlGaNクラッド層6とのヘテロ界面にn型AlGaN/GaN超格子層5またはn型AlGaNグレーディッド層を挿入し、p型AlGaNクラッド層11とp型GaNコンタクト層13とのヘテロ界面にp型AlGaN/GaN超格子層12またはp型AlGaNグレーディッド層を挿入する。
請求項（抜粋）：
互いに異なる二つの窒化物系III-V族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を少なくとも一つ有する半導体装置において、上記ヘテロ界面に、上記バンド不連続を擬似的に消滅または低減する超格子層が挿入されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
Fターム (20件)：
5F041AA24 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB09 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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