半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274710
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111642
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】選択的なシリサイド層の形成工程を簡便にすると共にバラツキの小さい安定的なものにし、そのシリサイド層の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上に所定の領域に高融点金属シリサイド層を選択的に形成する方法において、半導体基板を加熱しながら高融点金属膜を堆積すると共にCo2 Si膜等の第1の相構造の高融点金属シリサイド層を形成する。そして、熱処理を施してこの第1の相構造の高融点金属シリサイド層をCoSi膜、CoSi2 膜等の他の相構造の高融点金属シリサイド層に変換する。ここで、高融点金属シリサイド層の形成される領域表面と上記の高融点金属膜との間には、多孔性を有するシリコン酸化膜等でバリア膜が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に部分的に形成される絶縁膜間に高融点金属シリサイド層を選択的に形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板を加熱しながら高融点金属膜を堆積すると共に第1の相構造の高融点金属シリサイド層を形成する工程と、未反応の前記高融点金属膜を除去する工程と、熱処理を行って前記第1の相構造の高融点金属シリサイド層を第2の相構造あるいは第3の相構造の高融点金属シリサイド層に変換する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/28 301 T , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-146993 出願人：日本電気株式会社
シリサイド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-017747 出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド
特開平2-045923

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