特許
J-GLOBAL ID：200903044827829954

半導体発光素子

発明者：
蔵本 恭介

蔵本 恭介 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-324771
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135221
出願日： 2004年11月09日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】GaN基板への光滲み出し、及びn型クラッド層のクラックや転移の発生の問題なく、垂直方向のFFP(遠視野像)全半値幅の小さな半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型クラッド層3とp型クラッド層10との間に活性層6が挟まれた構造を有する半導体発光素子において、n型クラッド層として、Al組成比xが0.01≦x<0.06のAlxGa1-xN(AlGaN)層を用いる。Al組成比xが0.06より小さくなると、AlGaN層の屈折率が大きくなるので、垂直方向のNFP(近視野像)を広げ、垂直方向のFFPの全半値幅を小さくできる。また、Al組成比が小さくなると、GaN基板との格子不整合が小さくなるので、クラックや転移の発生の問題なくAlGaN層を厚く形成でき、GaN基板への光滲み出しも抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型クラッド層とp型クラッド層との間に活性層が挟まれた構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子であって、 前記n型クラッド層は、Al組成比xが0.01≦x<0.06のn型AlxGa1-xN層を備えることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (12件)：
5F173AA08 ,  5F173AF24 ,  5F173AF25 ,  5F173AF29 ,  5F173AF33 ,  5F173AG12 ,  5F173AG22 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AQ04 ,  5F173AR55
引用特許：
審査官引用 (5件)
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