特許
J-GLOBAL ID：200903087446251930
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊栖 康司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-297665
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111133
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 光密度が高くならないような構造として自励発振を制御すると共に、FFPを低く抑えて取り扱い容易な窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、n側とp側クラッド層の間にpおよびn側光ガイド層と活性層が形成されている。pおよびn側クラッド層は少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、例えばAlxGa1-xN/GaNの超格子とできる。このクラッド層中に含まれるAlの平均組成を0.02〜0.04とする。さらにn側クラッド層の全体の膜厚を1μm〜2μmとする。pおよびn側光ガイド層は一般式GaNで表され、その膜厚をそれぞれ0.1μm〜0.2μmとする。また光ガイド層中に含まれるAlの比率を上げることもできる。
請求項（抜粋）：
n側とp側クラッド層の間にpおよびn側光ガイド層と活性層が形成されており、pおよびn側クラッド層は少なくともAlを含む窒化物半導体層を有する超格子よりなり、かつpおよびn側クラッド層中に含まれるAlの平均組成を0.02〜0.04とし、pおよびn側光ガイド層は一般式GaNで表され、その膜厚をそれぞれ0.1μm〜0.2μmとすることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA15
, 5F073EA19
, 5F073EA23
