特許
J-GLOBAL ID：200903024624340568

半導体レーザ素子及び光学式情報記録装置

発明者：
山崎幸生

山崎幸生 について

, 
伊藤茂稔

伊藤茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-404507
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253776
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】I-L特性におけるキンクを抑制する新手法を提供し、パルス電流駆動時のピーク出力において60〜100mWの高出力まで基本次水平横モードで発振する半導体レーザ素子を提供する。更に、FFPにおける楕円率を1に近づける方法を提供しスポット形状を円形に近づけた半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子の構成を、クラッド層における基本次水平横モードの光と1次水平横モードの光に対する放射損失差が10cm-1以上である構成や、クラッド層の屈折率が基本次水平横モードに対する等価屈折率未満であり1次水平横モードの光に対する等価屈折率以上である構成や、上部クラッド層が一部の活性層上にのみ設けられてリッジストライプ構造の少なくとも一部を形成する構成とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1導電型の下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、前記第1導電型と導電型が異なる第2導電型の上部クラッド層と、前記下部クラッド層と前記上部クラッド層の間に設けられた活性層とを含み、光を水平方向に閉じ込めるリッジストライプ構造を有する半導体レーザ素子において、 前記下部クラッド層と前記上部クラッド層の少なくとも一方のクラッド層において、前記活性層で発生する基本次水平横モードの光に対する前記活性層と反対側の主面への放射損失と前記活性層で発生する1次水平横モードの光に対する前記活性層と反対側の主面への放射損失との放射損失差が、10cm-1以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S5/223 ,  G11B7/125
FI (2件)：
H01S5/223 ,  G11B7/125 A
Fターム (18件)：
5D789AA10 ,  5D789AA23 ,  5D789AA24 ,  5D789DA01 ,  5D789DA05 ,  5D789DA07 ,  5D789FA05 ,  5D789FA17 ,  5F073AA26 ,  5F073AA45 ,  5F073AA72 ,  5F073AA83 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA20
引用特許：
審査官引用 (9件)
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