特許
J-GLOBAL ID：200903044930632832

半導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプおよびその形成方法

発明者：
山本 幸弘

山本 幸弘 について

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巽 宏平

巽 宏平 について

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橋野 英児

橋野 英児 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 内藤 俊太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-342798
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151537
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：
【要約】【課題】 金属電極上への均一性・密着性・信頼性の高いアンダーバンプメタルやバンプの作製方法を提供し、その方法による信頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】 金属電極上にニッケルメッキを行う前の前処理を行うに際し、電極の付いたチップやウェハに対し、1回以上有機溶媒による洗浄を行うことと、UVオゾン洗浄を行うことにより、一つの電極内部・一つのチップ上の各電極間・ウェハ上及びウェハ間の電極間での処理の差を小さくすることが出来る。また、ニッケルメッキ液の濃度を濃くすることで中央部が凹んだUBMを形成することが出来る。以上により、均一性・密着性・信頼性に優れたUBMやバンプを形成することが出来る。また、その方法により信頼性の高い半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極表面に金属メッキでアンダーバンプメタルあるいはバンプを形成する方法であって、メッキ前に上記半導体素子の電極表面を1回以上有機溶媒で洗浄する工程を含むことを特徴とする半導体素子のアンダーバンプメタルまたはバンプ形成方法。
FI (5件)：
H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 M ,  H01L 21/92 604 H
引用特許：
審査官引用 (8件)
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