半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-334757
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156020
出願日： 1999年11月25日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】オーミック接触電極を容易に形成することができ、これにより、半導体装置の生産性の向上に寄与することができる方法を提供する。【解決手段】P型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層3の表面に、イオン原子によるダメージ(「×」で示す。)を与える。その後、金属膜を堆積してアノード電極5を形成すると、このアノード電極5は、P型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層3の表面にオーミック接触することになる。【効果】電極を構成する金属膜の堆積後に、長時間を要する熱処理を必要としない。

請求項（抜粋）：

半導体の固体表面にイオン原子によるダメージを与える工程と、上記ダメージが与えられた半導体の固体表面に金属膜を堆積させることにより、上記半導体の固体表面にオーミック接触する電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/28 A , H01L 21/28 H

Fターム (8件)：

4M104AA04 , 4M104BB09 , 4M104BB10 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104FF02 , 4M104GG02 , 4M104HH15

引用特許：

審査官引用 (9件)

オーム性電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190466 出願人：日本電気株式会社
特開昭58-051575
化合物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-033568 出願人：新日本製鐵株式会社

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