特許
J-GLOBAL ID：200903045052984121
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプ
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080883
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258446
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】光取り出し効率に優れ、且つ低い駆動電圧で動作可能な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が得られる製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそれを用いたランプを提供する。【解決手段】基板11上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層13、発光層14および第1のp型半導体層15をこの順序で積層する第1の結晶成長工程と、さらに窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2のp型半導体層16を積層する第2の結晶成長工程とを含み、前記第1の結晶成長工程と第2の結晶成長工程との間に、第1のp型半導体層15表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、該凹凸形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程とが備えられた製造方法としている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型半導体層、発光層および第1のp型半導体層をこの順序で積層する第1の結晶成長工程と、さらに窒化ガリウム系化合物半導体からなる第2のp型半導体層を積層する第2の結晶成長工程とを含み、
前記第1の結晶成長工程と第2の結晶成長工程との間に、前記第1のp型半導体層表面に凹凸を形成する凹凸形成工程と、該凹凸形成工程の後に熱処理を行う熱処理工程とが備えられていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA40
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041DA17
, 5F041DA26
, 5F041DA43
, 5F041DB01
, 5F041FF11
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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