光半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-202808
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054837
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】良好な温度特性を実現し、直列抵抗が低いAlGaInAs/InP系の光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 InP半導体基板10と、InP半導体基板10上に形成された活性層16と、活性層16上に形成され、InP半導体基板10に格子整合したp型AlInAsからなる第1クラッド層20と、第1クラッド層20上に形成され、PL波長が0.95μm〜1.1μmの範囲内にあり、InP半導体基板10に格子整合したp型InGaAsPからなる半導体層22と、半導体層22上に形成され、p型InPからなる第2クラッド層24とを有する。半導体層22は、第2クラッド層24をエッチングする際のエッチングストッパ層である。半導体層22と第1クラッド層20間のヘテロ障壁がほとんどない。

請求項（抜粋）：

InP半導体基板と、前記InP半導体基板上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、前記InP半導体基板に格子整合したp型AlInAsからなる第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に形成され、PL波長が0.95μm〜1.1μmの範囲内にあり、前記InP半導体基板に格子整合したp型GaInAsPからなる半導体層と、前記半導体層上に形成され、p型InPからなる第2クラッド層とを有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-022551 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-308892 出願人：株式会社日立製作所
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-346603 出願人：富士通株式会社

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