特許
J-GLOBAL ID：200903045085575103

窒化物系半導体発光素子の製造方法

発明者：
船戸 健次

船戸 健次 について

, 
中島 博

中島 博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 畑中 芳実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-205299
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047867
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】活性層での歪及び結晶欠陥の発生を抑制し、発光効率が高い窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物系半導体レーザ素子の製造に際し、本方法では、c面サファイア基板上にMOCVD法によりGaN第1バッファ層(低温成長層)を低い成長温度で成長させ、次いでGaN第1バッファ(低温成長層)上に、順次、図700°Cという一定の成長温度でMOCVD法により、GaN第2バッファ層16、n-GaNコンタクト層18、膜厚1.4μmのn-AlGaNクラッド層20、及びn-GaN光ガイド層22、GaInN活性層24を成長させる。次いで、MOCVD法により従来と同じ成長温度で従来と同様にして、活性層上にp-GaN光ガイド層、p-GaN光ガイド層内に設けられた電流ブロック層として機能するAlGaN障壁層、p-AlGaNクラッド層、及びp-GaNコンタクト層を成長させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
窒化物系化合物半導体層の積層構造を備え、かつ積層構造中の他の窒化物系化合物半導体層よりIn組成の高い窒化物系化合物半導体層を活性層として有する窒化物系半導体発光素子の製造方法において、 MOCVD法又はMBE法により活性層の下層の窒化物系化合物半導体層及び活性層を成長させる際、活性層の成長温度との温度差が150°C以内の成長温度で活性層の下層の窒化物系化合物半導体層を成長させ、次いで下層の窒化物系化合物半導体層上に活性層を成長させることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (3件)：
H01S5/343 610 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (33件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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