特許
J-GLOBAL ID：200903045092129569

半導体装置およびその製造方法

発明者：
吉見 英章

吉見 英章 について

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梅本 光雄

梅本 光雄 について

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恩田 和美

恩田 和美 について

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堀中 和己

堀中 和己 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091170
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266419
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】放熱性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体基板11と、半導体基板11の上面(第2主面)に搭載されたヒートシンク(放熱体)と、半導体基板11の下面(第1主面)に形成された配線14等を具備している。ヒートシンク17は、半導体基板11の上面に搭載され、その平面的な大きさは半導体基板11と略同一である。また、ヒートシンク17の厚みは、500μm〜2mmであり、半導体基板11よりも厚く形成されても良い。ヒートシンク17により補強されることで、半導体基板11を例えば50μm程度に薄くすることができるので、結果的に半導体装置10全体を薄くすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路素子と電気的に接続された電極が形成される第1主面と、前記第1主面に対向する第2主面とを具備する半導体基板と、 前記第2主面に搭載され、前記半導体基板と同等の平面的な大きさを有する放熱体を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/34 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (4件)：
H01L23/12 501P ,  H01L23/34 A ,  H01L21/56 R ,  H01L23/28 J
Fターム (14件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  4M109DA07 ,  4M109EB11 ,  4M109GA05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13 ,  5F061FA05 ,  5F136DA02 ,  5F136FA01 ,  5F136FA55
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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