特許
J-GLOBAL ID：200903040643171454

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
斉藤 博

斉藤 博 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069189
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352076
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】樹脂層の剥離を招くことなく基板(個片化されたウェハ)を確実に強化する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】ウェハ1の主面1c側に形成された少なくとも再配線5と電極端子7とを第1の樹脂で封止して第1樹脂層2を形成し、第1樹脂層2を形成した段階で、ウェハ1の裏面1b側からウェハ1の主面1cまたは第1樹脂層2の途中まで1回目のダイシングを行うとともに、ウェハ1の裏面1bに、裏面1bから主面1cに向けて延びる断面凹状の凹状部12を形成し、1回目のダイシングによって画成されたダイシング溝と凹状部12とウェハ1の裏面1bとを第2の樹脂で連続的に封止して第2樹脂層3を形成し、1回目のダイシングによって画成された側面1aを被覆する第2樹脂層3を残しつつ、2回目のダイシングを行って半導体装置Bを個片化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面に複数の集積回路が形成されたウェハが用意され、パッド電極を介して前記集積回路と電気的に接続される再配線を形成するとともに、該再配線上に電極端子を形成した後に、前記ウェハをダイシングして個片化する半導体装置の製造方法において、 前記ウェハの前記主面側に形成された少なくとも前記再配線と前記電極端子とを第1の樹脂で封止して第1樹脂層を形成し、該第1樹脂層を形成した段階で、前記ウェハの裏面側から前記ウェハの主面または前記第1樹脂層の途中まで1回目のダイシングを行ってダイシング溝を形成するとともに、前記ウェハの裏面に、該裏面から前記主面に向けて延び、前記裏面から前記主面に向かう方向の前記ダイシング溝の深さよりも浅い深さの断面凹状の凹状部を形成し、前記ダイシング溝と前記凹状部と前記ウェハの裏面とを第2の樹脂で連続的に封止して第2樹脂層を形成し、前記1回目のダイシングによって画成された側面を被覆する前記第2樹脂層を残しつつ、2回目のダイシングを行い個片化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/301 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L21/78 Q ,  H01L23/12 501P
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (11件)
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