3-5族化合物半導体の生産性向上方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270897
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】特性の安定な3-5族化合物半導体の歩留まりを向上させる等の生産性を向上させる方法を提供する。【解決手段】〔1〕一般式Ga<SB>a</SB> Al<SB>b</SB> N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> Al<SB>z</SB> N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v</SB> Al<SB>w</SB> N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の生産性向上方法。

請求項（抜粋）：

一般式Ga<SB>a</SB> Al<SB>b</SB> N(式中、0≦a≦1、0≦b≦1、a+b=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第1の層を1000°Cを超える温度で成長させた後、一般式In<SB>x</SB> Ga<SB>y</SB> Al<SB>z</SB> N(式中、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表される3-5族化合物半導体層からなる第2の層を1000°C以下で成長させる3-5族化合物半導体の成長方法において、第2の層を成長させる前に一般式Ga<SB>v</SB> Al<SB>w</SB> N(式中、0≦v≦1、0≦w≦1、v+w=1)で表される3-5族化合物半導体からなる第3の層を1000°C以下の温度で成長させることを特徴とする3-5族化合物半導体の生産性向上方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

FI (5件)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , C30B 29/38 D , H01L 21/205 , H01S 5/323 610

Fターム (51件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077HA02 , 4G077TB05 , 4G077TF01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA06 , 4K030LA14 , 5F041AA41 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB08 , 5F045CA09 , 5F045DA52 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310173 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-209271 出願人：豊田合成株式会社
3族窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-227890 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩

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