特許

J-GLOBAL ID：200903058205536799

半導体発光素子

発明者： 小出 典克 ,  小池 正好 ,  梅崎 潤一 ,  湧口 光雄 ,  浅見 慎也 ,  伊藤 健治 ,  加地 徹 ,  冨田 一義 ,  小澤 隆弘
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144961
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】単一画素で任意の色度(彩度、色相)の光を発光させ、基板側から光を取り出すこと。【解決手段】基板1上に、異なる色度の光を発光する第1発光層3と第2発光層9とが積層され、第1発光層3は多重量子井戸構造を成している。第1発光層3及び第2発光層9のそれぞれの結晶比を変化させることで禁制帯幅を変化させることができるので、発光のピーク波長を結晶比により変化させることができ、それら発光層3及び9からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性とした。よって、単一画素から任意の色度を有する光を発光させることができる。又、第1発光層3と第2発光層9との間にはバッファ層6が設けられ、このバッファ層6により第1発光層3から電極14側に発光された光が基板1側に反射されるので、基板1側からの光の取り出し効率を高めることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、3族窒化物半導体(AlxGa1-x)yIn1-yN(0 ≦x ≦1;0 ≦y ≦1)から成り、所定の色度の光を発光する第1の発光層と、該第1の発光層から発光される光と異なる色度の光を発光し、前記第1の発光層上に積層された第2の発光層とを備え、前記第1及び第2の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を所望の波長強度特性とし、前記基板側から前記合成光を取り出したことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 3族窒化物半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-331485   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体発光素子およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-203219   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079045   出願人：日亜化学工業株式会社