露光用マスクパターンの検査方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-129246
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328462
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】より厳密に欠陥の転写性をマスク像から直接求めることが可能となり、許容欠陥サイズをより厳密に求められることからスペックを緩和することが可能となる半導体装置製造用の露光マスクパターンの検査方法を提供する。【解決手段】マスクパターン2の検査像から直接露光転写シミュレーションを行う。露光用マスクパターンの画像データ3を作成するステップと、この画像データから検出光学系の情報を基に露光用マスクパターンより得られる回折光分布の低次項を求めるステップ4と、得られた回折光分布の低次項から露光装置1の光学系での転写シミュレーションを用いてウェハ上に得られる像強度分布を求めるステップを備え、この像強度分布を基に前記画像データと比較して検査の合否判定を行う。マスクパターンの検査像から直接露光転写シミュレーションを行うことにより、高精度な判断を下すことが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するための露光装置に用いる露光用マスクパターンの検査方法において、前記露光装置の露光波長と実質的に同一の検査波長を使用し、露光装置の投影光学系の開口数より大なる開口数を有する検査装置の検出光学系を用いて前記露光用マスクパターンの画像データを作成するステップと、得られた前記露光用マスクパターンの画像データから、前記検出光学系の情報を基に前記露光用マスクパターンより得られる回折光分布の低次項を求めるステップと、得られた前記回折光分布の低次項から、前記露光装置光学系での転写シミュレーションを用いてウェハ上に得られる像強度分布を求めるステップと、得られた前記像強度分布を基に前記画像データと比較して検査の合否判定を行うステップとを備えたことを特徴とする露光用マスクパターンの検査方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 S , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 V , H01L 21/30 502 Z

Fターム (9件)：

2H095BA01 , 2H095BD02 , 2H095BD03 , 2H095BD09 , 2H095BD11 , 2H095BD20 , 5F046AA18 , 5F046AA25 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (9件)

レチクル外観検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-112702 出願人：日本電気株式会社
特開平4-321047
位相シフトレチクル
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-169797 出願人：富士通株式会社

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