特許

J-GLOBAL ID：200903045161411492

半導体装置

発明者： 東 和幸 ,  山田 雅基 ,  松永 範昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-351680
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165115
出願日： 2004年12月03日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】銅ダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。【解決手段】本発明の例に関わる多層配線構造を有する半導体集積回路が形成される半導体装置は、銅配線14と、銅配線14の上面上に形成される絶縁層16とを備え、銅配線14は、銅配線14と絶縁層16との密着性を向上させる添加物を含み、その添加物のプロファイルは、銅配線14の上面から内部に向かうに従い、次第に濃度が減少する勾配を持ち、銅配線14の上面で最も高い濃度となる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体集積回路が形成される半導体装置において、銅配線と、前記銅配線の上面上に形成される絶縁層とを具備し、前記銅配線は、前記銅配線と前記絶縁層との密着性を向上させる添加物を含み、前記添加物のプロファイルは、前記銅配線の上面から内部に向かうに従い、次第に濃度が減少する勾配を持ち、前記銅配線の上面で最も高い濃度となることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (41件)：

5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX27

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-016700   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-379278   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097948   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置、および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-130484   出願人：NECエレクトロニクス株式会社