半導体装置、および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：宮崎昭夫 , 金田暢之 , 伊藤克博 , 石橋政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-130484
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193544
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】Cu配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜2の溝部内に、上面が露出する金属配線7を形成し、金属配線7上面からシリコンを拡散させ、シリコン含有金属配線8の露出面に金属拡散防止膜9を形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜の溝部内に、上面が露出する金属配線を形成する工程と、前記金属配線上面からシリコンを拡散させる工程と、前記金属配線の露出面に金属拡散防止膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/768

FI (1件)：

H01L21/90 A

Fターム (77件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK21 , 5F033KK27 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033LL02 , 5F033LL09 , 5F033LL10 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ62 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033RR29 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033SS25 , 5F033TT02 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F033XX21 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-151268 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-104015 出願人：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-324594 出願人：株式会社日立製作所

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