特許
J-GLOBAL ID：200903083698803418

半導体装置およびその製造方法

発明者：
利根川 丘

利根川 丘 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 徳丸 達雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-016700
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228445
出願日： 2003年01月24日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】エレクトロマイグレーション(EM)およびストレスマイグレーション(SM)両耐性に優れた銅配線を備える半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】銅配線25に、他の金属原子とシリコン原子との両方が、配線の底面及び側面部分は前記他の金属原子がリッチとなり、配線の表面部分は前記シリコン原子がリッチとなるような分布をもって添加されている。このような銅配線は、シード層上に形成された銅配線層の中に、前記シード層を銅と銅以外の金属との合金により形成することにより、前記金属の原子を拡散添加させ、さらに前記銅配線の表面からシリコン原子を拡散添加することにより実現される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
銅配線に他の原子とシリコン原子との両方が、配線の底面及び側面部分は前記他の金属原子がリッチとなり、配線の表面部分は前記シリコン原子がリッチとなるような分布をもって添加されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L21/3205 ,  H01L21/768
FI (2件)：
H01L21/88 M ,  H01L21/90 A
Fターム (46件)：
5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033KK12 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033WW04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX06
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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