化学的蒸着処理に使用する改良された受容体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：青山葆 , 河宮治 , 山田卓二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-582617
公開番号（公開出願番号）：特表2004-522294
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

エピタキシャル蒸着の装置及び処理に使用する改良された受容体が開示されている。改良された受容体は、半導体ウェーハを支持することができる内側環状棚を有し、かつエピタキシャル蒸着処理の間に使用される洗浄ガスが受容体を通過し、半導体ウェーハの裏側表面全体と十分に接触してもともとの酸化物層を除去できるように、表面上に多数の孔を有する。さらに、受容体の多数の孔により、エピタキシャル蒸着処理の間に裏側表面から外方拡散したドーパント原子は、表側表面から不活性ガス流動及び排出装置へと運び出される。これにより、表側表面のオートドーピングは最小限に抑えられる。

請求項（抜粋）：

表側表面と裏側表面とを有する半導体ウェーハ上でエピタキシャルシリコン層を成長させる化学蒸着法に用いられる装置であって、この装置は上記半導体ウェーハを支持する大きさと形を備えた受容体を有し、上記受容体は1平方センチメートルあたり約0.2個から約4個の割合で開口部を有する開口密度を備えた表面を備えており、上記表面は上記半導体ウェーハとほぼ平行に対向して上記表面と半導体ウェーハとの間の流体の流れが半導体ウェーハの裏側表面と流体接触するようにしてある装置。

IPC (2件)：

H01L21/205 , C23C16/458

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/458

Fターム (25件)：

4K030AA06 , 4K030BA29 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA01 , 4K030KA45 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF03 , 5F045BB06 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EB13 , 5F045EM07

引用特許：

出願人引用 (5件)

気相成長装置用サセプター
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-163238 出願人：住友シチックス株式会社
ウエハ用トレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011395 出願人：ソニー株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-031526 出願人：日本電気株式会社

全件表示

審査官引用 (5件)

気相成長装置用サセプター
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-163238 出願人：住友シチックス株式会社
ウエハ用トレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011395 出願人：ソニー株式会社
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-031526 出願人：日本電気株式会社

全件表示

前のページに戻る