特許
J-GLOBAL ID：200903045330705727

半導体光機能装置および半導体光機能素子

発明者：
山田 光志

山田 光志 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343171
公開番号（公開出願番号）：特開2001-159748
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：
【要約】【課題】 電圧変化時の透過率曲線の線形性を改善し,許容光入力パワーを大きくすることが可能な半導体光機能装置および半導体光機能素子を提供すること。【解決手段】 複数の個別の半導体光強度変調器を縦続接続または並列接続する。接続する変調器のうち少なくとも2つはバンドギャップの異なるものを用い,各変調器に関して印加電圧を変数とする透過率曲線を同一グラフに描いたとき,各透過率曲線間で少なくとも1つの交点が存在するように設定しておく。複数の変調器の組み合わせにより,透過率曲線の線形性が改善でき,トータルの変調特性を改善できる。また,これらの変調器により,マルチモード干渉器を構成すると,マルチモード干渉器中の光パワー密度を小さくすることが可能なため,許容光入力パワーを大きくすることができる。
請求項（抜粋）：
p-i-n接合を含む半導体光強度変調素子からなる光変調器を少なくとも2つ有し,前記光変調器は光学的に縦続接続および/または並列接続されていることを特徴とする半導体光機能装置。
IPC (2件)：
G02F 1/017 503 ,  G02F 1/025
FI (2件)：
G02F 1/017 503 ,  G02F 1/025
Fターム (13件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079EB05 ,  2H079GA01 ,  2H079GA03 ,  2H079HA11
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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