特許

J-GLOBAL ID：200903045429690837

ショットキゲート電界効果トランジスタ

発明者： 廣川 友明 ,  新宮 善蔵 ,  斉藤 茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307335
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118122
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：

【要約】【課題】 リターンロス値が低減し、且つ、耐圧が高く過大入力に対する歪みレベルが低減するショットキゲート電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果型トランジスタは、チャネル層1、ドレイン側コンタクト層3、ソース側コンタクト層4、誘電体膜5、及び、ゲート電極7を有する。ゲート電極7は、チャネル層1とショットキ接合し、所定の庇状のフィールドプレート部を有する。ゲート・ドレイン間リセス距離Lrgdは、800nm以上3000nm以下に設計され、ゲート・ドレインオーバーレイ距離Lgdは、Lrgd±400nm以内に設計され、誘電体膜5の膜厚tは、300nm以上600nm以下に設計される。

請求項（抜粋）：

表面にチャネル層及びコンタクト層がこの順に形成された半絶縁性基板と、前記コンタクト層の一部を除去して形成されたリセス内において、前記チャネル層にショットキ接触し、且つ、庇状のフィールドプレート部を有するゲート電極と、前記半導体基板上に前記ゲート電極と所定の位置関係で形成され、且つ、コンタクト層とオーミック接合されたソース電極及びドレイン電極とを備えるショットキゲート電界効果トランジスタにおいて、前記フィールドプレート部と前記チャネル層との間に、膜厚が300nm以上のSiO2膜から成る誘電体膜が設けられたことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H03F 1/32

FI (2件)：

H03F 1/32 ,  H01L 29/80 F

Fターム (27件)：

5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102GR11 ,  5F102GR12 ,  5F102GS06 ,  5F102GS09 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5J090AA04 ,  5J090AA41 ,  5J090CA18 ,  5J090CA21 ,  5J090FA16 ,  5J090GN09 ,  5J090HA11 ,  5J090HA16 ,  5J090QA02 ,  5J090SA13 ,  5J090TA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-190506   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-268394   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128958   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-123015   出願人：株式会社リコー