特許
J-GLOBAL ID：200903045439643780

窒化ガリウム系半導体レーザ素子

発明者：
奥村 敏之

奥村 敏之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001932
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280671
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、光ディスクシステムの光源としての使用が可能な、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、第1の導電型のクラッド層と、活性層と、前記第2の導電型のガイド層またはクラッド層と、電流阻止層が順次積層され、前記電流阻止層には活性層の幅よりも狭い幅のストライプ状の溝が第2の導電型のガイド層またはクラッド層にまで達するように形成されており、前記ストライプ状の溝と電流阻止層の上には、少なくとも第2の導電型のクラッド層と、第2の導電型のコンタクト層が順次積層される窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記ストライプ領域の幅が、0.2μm以上1.8μm以下である。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の導電型のクラッド層と、活性層と、第2の導電型のガイド層またはクラッド層と、電流阻止層が順次積層され、前記電流阻止層には活性層の幅よりも狭い幅のストライプ状の溝が第2の導電型のガイド層またはクラッド層にまで達するように形成されており、前記ストライプ状の溝と電流阻止層の上には、少なくとも第2の導電型のクラッド層と、第2の導電型のコンタクト層が順次積層される窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記ストライプ領域の幅が、0.2μm以上1.8μm以下であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01S 5/223 ,  H01S 5/343 610
Fターム (9件)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA26
引用特許：
審査官引用 (5件)
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