特許
J-GLOBAL ID：200903045439822693

AlN単結晶の製造方法

発明者：
亀井 一人

亀井 一人 について

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白井 善久

白井 善久 について

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八内 昭博

八内 昭博 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-128206
公開番号（公開出願番号）：特開2006-306638
出願日： 2005年04月26日
公開日（公表日）： 2006年11月09日
要約：
【課題】フラックス法により、欠陥の少ないAlN単結晶を大きな成長速度で製造可能なAlN単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとを含むM-Al合金融液に、またはこれにさらにSiを添加したM-Si-Al合金融液に、窒化物(例、Si3N4、BN、AlN、TiN)を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有する種結晶基板(例、バルクSiC単結晶)を接触させ、前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させる。窒化物は、合金融液を収容する内坩堝として、または合金融液中に投入した板状体として使用することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Cr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上からなる金属MとAlとを含むM-Al合金融液に、窒化物を接触させた状態で、AlNと格子整合性を有する種結晶基板を接触させ前記種結晶基板上にAlNをエピタキシャル成長させることを特徴とする、AlN単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/38 ,  C30B 19/02
FI (2件)：
C30B29/38 C ,  C30B19/02
Fターム (13件)：
4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077CG06 ,  4G077EA02 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077LA05 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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