枚葉式半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087635
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283150
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】枚葉式半導体製造装置に於いて、基板への成膜速度の増大、更に成膜速度の制御を行う。【構成】反応ガスを導入し、プラズマを発生させ、ウェーハの処理を行う枚葉式半導体製造装置に於いて、反応ガスを加熱する手段11,14を具備し、或は更に加熱手段を制御する反応ガス温度制御器16を設け、反応ガスの加熱により導入した反応ガスの分解を促進し、基板への成膜効率を向上させ、更に反応ガスの加熱温度の制御で成膜速度を制御する。

請求項（抜粋）：

反応ガスを導入し、プラズマを発生させ、ウェーハの処理を行う枚葉式半導体製造装置に於いて、反応ガスを加熱する手段を具備したことを特徴とする枚葉式半導体製造装置。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C30B 25/10 , C30B 25/14 , H01L 21/22 , H01L 21/285 , H01L 21/3065 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 B , H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭59-115521
気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-255599 出願人：株式会社富士電機総合研究所
乾式薄膜加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-036783 出願人：富士電機株式会社

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