特許

J-GLOBAL ID：200903045446240942

窒化物結晶の表面処理方法、窒化物結晶基板、エピタキシャル層付窒化物結晶基板および半導体デバイス、ならびにエピタキシャル層付窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法

発明者： 石橋 恵二 ,  西浦 隆幸 ,  入倉 正登 ,  中畑 成二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-123731
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010835
出願日： 2007年05月08日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】半導体デバイスに用いることができる窒化物結晶基板を効率的に得るため、効率よく窒化物結晶に平滑で品質のよい表面を形成する窒化物結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】本窒化物結晶の表面処理方法は、窒化物結晶1の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、酸化物の砥粒16が用いられ、砥粒16の標準生成自由エネルギーが酸素分子1mol当たりの換算値で-850kJ/mol以上であり、かつ、砥粒16のモース硬度が4以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物結晶の表面を化学機械的にポリシングする表面処理方法であって、 酸化物の砥粒が用いられ、 前記砥粒の標準生成自由エネルギーが酸素分子1mol当たりの換算値で-850kJ/mol以上であり、かつ、 前記砥粒のモース硬度が4以上である窒化物結晶の表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/00 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

H01L21/304 622B ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00 ,  H01L33/00 C ,  H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622Q ,  H01L21/304 622W

Fターム (34件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG07 ,  4G077FG12 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA18 ,  5F041DA26

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138667   出願人：松下電器産業株式会社
• 米国特許第6596079号明細書
  
• 米国特許第6488767号明細書
  

審査官引用 (4件)

• AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-241269   出願人：住友電気工業株式会社
• 化学機械研磨方法及び化学機械研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-423732   出願人：シャープ株式会社
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-205241   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-123061   出願人：株式会社日立製作所