特許
J-GLOBAL ID：200903045503441330

電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者：
井出 勝也

井出 勝也 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-287397
公開番号（公開出願番号）：特開2003-098537
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：
【要約】【課題】 内面反射方式の反射型又は半透過反射型の電気光学装置において、鏡面反射等を避けるための絶縁膜を作り込みつつ、これに起因した画素電極等におけるパターン不良や剥離を低減する。【解決手段】 反射型の電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、絶縁膜(241)と、この上に形成された反射電極(242)と、この上に形成された透明導電性膜(243)とを備える。透明導電性膜は、平面的に見て画素毎に絶縁膜の凹凸領域よりも輪郭が大きい。或いは、半透過反射型の電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、絶縁膜(242)と、この上に形成された半透過反射電極(242’)と、この上に形成された透明導電性膜(243’)とを備える。透明導電性膜は、平面的に見て画素毎に絶縁膜の凹凸領域よりも輪郭が大きい。
請求項（抜粋）：
基板上に、画素毎に凹凸領域を有する絶縁膜と、該絶縁膜上に画素毎に形成された反射又は半透過反射電極と、該反射又は半透過反射電極上に画素毎に形成された透明導電性膜とを備えており、前記透明導電性膜は、平面的に見て画素毎に前記凹凸領域よりも輪郭が大きいことを特徴とする電気光学装置。
IPC (5件)：
G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 330 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 ,  G09F 9/30 349
FI (5件)：
G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 330 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 348 A ,  G09F 9/30 349 D
Fターム (36件)：
2H092GA17 ,  2H092HA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA30 ,  2H092MA48 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  2H092QA15 ,  5C094AA02 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094EA07 ,  5C094ED11 ,  5C094ED15 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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