特許
J-GLOBAL ID：200903045550449330

磁気センサ及び磁気ヘッド

発明者：
瀬山 喜彦

瀬山 喜彦 について

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長坂 恵一

長坂 恵一 について

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清水 豊

清水 豊 について

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田中 厚志

田中 厚志 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243187
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060258
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 磁気センサ及び磁気ヘッドに関し、単純な構成のCPP方式磁気センサの磁区制御膜となるハード膜の比抵抗を高めて無効電流を減少させる。【解決手段】 磁区制御を行う導電性の硬質磁性材料からなるハード膜4と磁気センサ膜3とを少なくとも一部において直接接するように配置し、磁気センサ膜3面に少なくとも主たる成分が垂直成分である方向に電流を流す構造の磁気センサのハード膜4の比抵抗を変化させ, 前記磁気センサ膜3とハード膜4に流れる電流を制御する。
請求項（抜粋）：
磁区制御を行う導電性の硬質磁性材料からなるハード膜と磁気センサ膜とを少なくとも一部において直接接するように配置し、磁気センサ膜面に少なくとも主たる成分が垂直成分である方向に電流を流す構造の磁気センサにおいて、前記ハード膜の比抵抗を変化させ, 前記磁気センサ膜とハード膜に流れる電流を制御することを特徴とする磁気センサ。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30
FI (5件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/06 R
Fターム (8件)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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