特許
J-GLOBAL ID：200903045641987637

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
西 恒寛

西 恒寛 について

, 
金生 剛

金生 剛 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369711
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234915
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【解決手段】 式(1)及び/又は(2)で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物。【化1】(R1、R2はH、アルキル基、アシル基又はアルキルスルフォニル基、又はアルコキシカルボニル基又はアルコキシアルキル基、R3、R4はH、アルキル基又はアルコキシ基、又はアルコキシアルキル基を示し、R3とR4はそれらの結合する炭素原子と共に炭素数4〜8の脂環を形成してもよく、R3とR4を合わせて1個の酸素原子としてもよい。kは0又は1。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れている。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)及び/又は(2)で示される繰り返し単位を含有することを特徴とする重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2は水素原子、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アシル基又はアルキルスルフォニル基、又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基又はアルコキシアルキル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。R3、R4は水素原子、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はアルコキシ基、又は炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基を示し、構成炭素原子上の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されていてもよい。また、R3とR4はそれらの結合する炭素原子と共に炭素数4〜8の脂環を形成してもよく、R3とR4を合わせて1個の酸素原子としてもよい。kは0又は1である。)
IPC (8件)：
C08F 34/02 ,  C08F220/12 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08F234/02 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (8件)：
C08F 34/02 ,  C08F220/12 ,  C08F222/06 ,  C08F222/40 ,  C08F232/00 ,  C08F234/02 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (56件)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025FA12 ,  4J100AK32R ,  4J100AL08S ,  4J100AM43R ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11Q ,  4J100AR25S ,  4J100AR32P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA04P ,  4J100BA04S ,  4J100BA05P ,  4J100BA06P ,  4J100BA10P ,  4J100BA11P ,  4J100BA13P ,  4J100BA14P ,  4J100BA20Q ,  4J100BA22P ,  4J100BA55P ,  4J100BA58P ,  4J100BB01P ,  4J100BB18P ,  4J100BC02P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC03S ,  4J100BC04P ,  4J100BC04Q ,  4J100BC04S ,  4J100BC08Q ,  4J100BC08S ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53S ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許：
審査官引用 (6件)
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