特許
J-GLOBAL ID：200903000280980485

処理装置および処理方法

発明者：
中別府 健一

中別府 健一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108490
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291698
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】洗浄後のウェハ18を乾燥する処理装置および処理方法において、純水7に浸されたウェハ18にパ-ティクルが再付着することを防止する。【解決手段】液面にIPA層3が形成された純水7にウェハ18を浸し、隣接するウェハ18の間にウェハ面を覆う仕切板1を挿入しながらウェハ18と純水7と相対的に移動させ、純水7からウェハ18を離脱させることによって、純水に浸しときのウェハ18から離脱したパ-ティクルがウェハに再付着することを防止する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体ウェハを垂直に並べ立てて積載するボ-トと、このボ-トを開口から入れ該ボ-トを収納するとともに純水を貯える槽と、この槽の前記開口を密閉する蓋と、キャリアガスとともにイソプロアルコ-ルを密閉された前記槽内に噴き出す供給ノズルと、複数の隣接する前記半導体ウェハの間と前記槽壁と前記ボ-トの両端にある前記半導体ウェハとの間に挿入され該半導体ウェハの表面を覆う複数の仕切板と、前記仕切板を保持する棒部材と、前記半導体ウェハを前記仕切板を伴って前記純水中を相対的に通過し前記純水から離脱する移動手段を備えることを特徴とする処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/02 ,  B08B 3/08
FI (4件)：
H01L 21/304 651 G ,  H01L 21/304 651 L ,  B08B 3/02 A ,  B08B 3/08 A
Fターム (9件)：
3B201AA03 ,  3B201AB44 ,  3B201BB02 ,  3B201BB05 ,  3B201BB12 ,  3B201BB13 ,  3B201BB33 ,  3B201BB55 ,  3B201CC12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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