特許
J-GLOBAL ID：200903045702895102

容量式湿度センサ

発明者：
豊田 稲男

豊田 稲男 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-182032
公開番号（公開出願番号）：特開2003-004683
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：
【要約】【課題】 容量式湿度センサにおいて、湿度検出用の2個の電極を外部環境にさらすことなく、感湿膜による2個の電極間の容量変化の検出精度を良好なものとする。【解決手段】 半導体基板10の上に形成されたシリコン酸化膜20と、シリコン酸化膜20の上にて離間して対向するように形成された2個の櫛歯状の電極31、32と、これら2個の電極31、32を覆うように形成されたシリコン窒化膜40と、シリコン窒化膜40の上に両電極31、32を覆うように形成され、湿度に応じて容量値が変化する感湿膜50とを備え、周囲の湿度の変化に応じて2個の電極31、32間の容量値が変化するようになっており、2個の電極31、32と半導体基板10との間の寄生容量を小さくするように、半導体基板10のうち2個の電極31、32の下に位置する部位が除去されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板(10)と、この半導体基板の上に形成された第1の絶縁膜(20)と、この第1の絶縁膜の上にて離間して対向するように形成された2個の電極(31、32)と、これら2個の電極を覆うように形成された第2の絶縁膜(40)と、この第2の絶縁膜の上に前記2個の電極および前記2個の電極の間を覆うように形成され、湿度に応じて容量値が変化する感湿膜(50)とを備え、周囲の湿度の変化に応じて前記2個の電極間の容量値が変化するようになっており、前記2個の電極と前記半導体基板との間の寄生容量を小さくするように、前記半導体基板のうち前記2個の電極の下に位置する部位が除去されていることを特徴とする容量式湿度センサ。
IPC (2件)：
G01N 27/02 ,  G01N 27/22
FI (2件)：
G01N 27/02 B ,  G01N 27/22 A
Fターム (3件)：
2G060AB02 ,  2G060AG06 ,  2G060AG10
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開昭57-153254
  • 湿度センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-209206   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • 特開昭58-037907
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