特許
J-GLOBAL ID：200903045719006476

長波長帯面発光型半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
山田 みつき

山田 みつき について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318609
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150327
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 高温でも電子の閉じ込めがよくなり、高温でも特性の劣化が小さい、長波長帯の面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】 活性層及びクラッド層が一組の光反射鏡で挟まれた構造を有する垂直共振器型の長波長帯面発光型半導体レーザにおいて、活性層及びクラッド層がInP及びGaAsのいずれにも格子整合しない半導体層からなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
活性層及びクラッド層が一組の光反射鏡で挟まれた構造を有する垂直共振器型の長波長帯面発光型半導体レーザにおいて、活性層及びクラッド層がInP及びGaAsのいずれにも格子整合しない半導体層からなることを特徴とする長波長帯面発光型半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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