面発光型半導体レーザ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145855
公開番号（公開出願番号）：特開平8-340146
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高い反射率でかつAl元素を含んでいない半導体多層反射鏡を実現することにより、低しきい電流で連続動作発振し、かつ高い信頼性を有する長波長帯の面発光型半導体レーザを提供することにある。【構成】レーザ光の波長が1.25〜1.65μmの範囲となる活性層5を有するInGaAsP/InP系の長波長帯の積層構造と、InGaPとGaAsの組合せ、あるいはInGaAsPとGaAsの組合せからなる半導体多層膜反射鏡2を直接接着方式により一体化する。【効果】本発明では、高い反射率で、かつ化学的に非常に活性なAl元素を含んでいない半導体多層反射鏡を有するレーザ光の波長が1.25〜1.65μmの面発光型半導体レーザを提供できる。その結果、低しきい電流で連続動作発振する長波長帯の面発光型半導体レーザの信頼性の向上に対して効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層と、発生した光からレーザ光を得るための半導体多層膜反射鏡を含んだ共振器構造を有し、レーザ光の波長が1.25〜1.65μmの範囲である面発光型半導体レーザにおいて、上記半導体多層膜反射鏡がInGaPとGaAsの組合せ、あるいはInGaAsPとGaAsの組合せで構成されていることを特徴とする面発光型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (9件)

面型光半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-140164 出願人：日本電気株式会社
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-245639 出願人：株式会社日立製作所
面発光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-132199 出願人：日本電信電話株式会社

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