特にヘテロエピタキシャル堆積用のコンプライアント基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-529746
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502121
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：

【要約】【課題】他の材料のヘテロエピタキシャル成長を始めるため使用すべき材料の薄膜を供給するコンプライアント基板を提供するものである。【解決手段】キャリヤ(1,14,21,31)と該キャリヤの表面上に形成した少なくとも一つの薄層(4,13,23,34)とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板(5,20,30)であって、そのキャリヤとその薄層とが結合手段(3;11,15,16;24,25)によって互いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄層及び/又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び/又は結合エネルギーが前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

キャリヤ(1,14,21,31)と該キャリヤの表面上に形成した少なくとも一つの薄層(4,13,23,34)とを備え、一体の形で応力供給構造を受けることが意図されているコンプライアント基板(5,20,30)であって、そのキャリヤとその薄層とが結合手段(3;11,15,16;24,25)によって互いに結合され、前記構造によってもたらされた応力の全てあるいはその一部が薄層及び/又は結合手段に吸収されているコンプライアント基板において、前記結合手段が結合ゾーン、すなわち、微小キャビティの層及び/又は結合エネルギーが前記応力の吸収を可能にするように制御される結合界面、の中から選択された少なくとも一つの結合ゾーンを備えていることを特徴とするコンプライアント基板。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 27/12 B , H01L 21/265 Q

Fターム (4件)：

5F052KA05 , 5F052KA06 , 5F052KA10 , 5F052KB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-142822
複合半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-283706 出願人：宇部興産株式会社
薄い半導体材料フィルムの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-246594 出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク

引用文献：

審査官引用 (2件)

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