プラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-007707
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196752
出願日： 2005年01月14日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：

【課題】面内均一性に優れたプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。【解決手段】プラズマ形成空間PとウェーハWとの間にマスク部材5を介在させ、このマスク部材5に形成されているドーピング用開口5Aを介してイオンをウェーハWへ導入する。マスク部材5のドーピング用開口5Aは、ウェーハWの被処理面の一部の領域をプラズマ形成空間Pに露出させ、当該領域にのみプラズマ中のイオンを注入させる。ウェーハWを支持するステージ4は、ステージ移動機構6,7によってマスク部材5に対して平行移動するよう構成され、これにより、ウェーハWの全面に対してイオンを均一に導入することができるようになる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空チャンバと、この真空チャンバ内にプラズマを形成するプラズマ源と、被処理基板を支持するステージとを備え、前記真空チャンバ内に形成したプラズマ中のイオンを前記ステージ側へ引き出して前記被処理基板上へ導入するプラズマドーピング装置において、前記被処理基板に対向して配置され、当該被処理基板のイオン導入領域を画定するドーピング用開口が形成されたマスク部材と、前記ステージを前記マスク部材に対して少なくとも一方向へ平行移動させるステージ駆動機構とを備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。

IPC (4件)：

H01L 21/265 , H01J 37/20 , H01L 21/22 , H01L 21/266

FI (4件)：

H01L21/265 F , H01J37/20 A , H01L21/22 E , H01L21/265 M

Fターム (3件)：

5C001AA03 , 5C001AA05 , 5C001CC07

引用特許：

出願人引用 (2件)

表面処理方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282425 出願人：松下電器産業株式会社
イオン注入装置およびイオン注入方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-137781 出願人：日本真空技術株式会社

審査官引用 (8件)

特開昭63-157868
イオン注入装置におけるビーム軌道の復元方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-123369 出願人：日新電機株式会社
特表昭63-503340

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