特許
J-GLOBAL ID：200903091173965290
表面処理方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282425
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114198
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 ドーズ量制御を正確に行うことができるプラズマドーピングを実現する。併せて、デバイス駆動能力が均一な半導体装置を製造する。【解決手段】 ドーズ量の制御が可能なプラズマドーピングにより不純物を導入する。具体的には、プラズマの状態を観測し、その結果に基づいてプラズマの状態を制御する。ドーズ量の多寡はプラズマの状態に依存するため、ドーズ量を好適に制御することができる。
請求項（抜粋）：
プラズマドーピングを用いて基体の中に任意の物質を導入する表面処理方法であって、ドーズ量を任意の値に制御することが可能であることを特徴とする表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/22
, H01L 29/786
H01L 21/265 F
, H01L 21/22 E
, H01L 21/265 T
, H01L 29/78 618 F
