イオン注入方法およびイオン注入装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370256
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176005
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】ウェーハ上の全チップに対して、マスク部材との所定の間隙を維持して適正なイオン注入を行うことができるイオン注入方法およびイオン注入装置を提供すること。【解決手段】ウェーハW上の各チップ領域をマスク部材21と位置合わせする毎に、これらの間の間隙dを検出し、間隙dを所定値へ調整する。間隙dを検出する手段としては、ウェーハWと対向するマスク部材21の下面に、絶縁層34を介して導体膜35を形成し、この導体膜35とウェーハWとの間の静電容量を測定することにより、間隙dの大きさを検出する。これが所定値にない場合は圧電体27を駆動させて間隙dを所定値へ調整する。

請求項（抜粋）：

1チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された導電性のマスク部材をウェーハに対し所定の間隙をおいて対向配置し、各チップ毎に前記マスク部材との位置合わせを行ってから、前記マスク部材を介して前記ウェーハにイオンを注入するイオン注入方法であって、前記マスク部材に対して前記各チップを位置合わせする毎に、前記ウェーハと前記マスク部材との間隙を検出し、前記間隙を所定値へ調整する工程を有することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (3件)：

H01L 21/266 , C23C 14/48 , H01J 37/317

FI (3件)：

C23C 14/48 B , H01J 37/317 B , H01L 21/265 M

Fターム (7件)：

4K029AA24 , 4K029CA10 , 4K029DE02 , 4K029EA00 , 4K029HA03 , 5C034CC07 , 5C034CC19

引用特許：

審査官引用 (8件)

イオン注入方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-015700 出願人：株式会社日立製作所
荷電粒子線転写装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066098 出願人：株式会社ニコン
特開平2-224219

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