半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178441
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026864
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】高出力で短波長発振が可能で且つ温度特性も良好であり、レーザ光の広がり角も小さい可視光半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】クラッド層のAl組成比xを0.7より大とし、さらに活性層近傍の一部のクラッド層のAl組成比を前記Al組成比より大として、組成比が凸型分布となるように構成する。また、Al組成比の相対的に低い部分のクラッド層膜厚は0より大きく1μm以下とする。Al組成比を0.7より大きくすることで、活性層のエネルギーバンドギャップ差をより大きくし、高温時のキャリアオーバフローを減少させて、温度特性の改善が図れる。活性層近傍の一部のクラッド層のAl組成比を大きくすることで、アンチ・ガイディング効果によって活性層に導波光が集中することを防止し、高出力動作を実現することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型を有する半導体基板と、第1導電型を有する第1のクラッド層と、活性層と、光ガイド層と、第2導電型を有する第2のクラッド層とを少なくとも有するダブルヘテロ接合型の半導体レーザであって、前記第1のクラッド層および前記第2のクラッド層のうちの少なくともいずれかは、前記基板の主面に対して垂直な深さ方向に沿ってみたとき、層の両端部よりもバンド・ギャップが大きい領域を層の内部に有することを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (8件)

レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-036745 出願人：イーストマン・コダックジャパン株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-011960 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-018082

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