半導体レーザ素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西教圭一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182491
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083070
出願日： 1996年07月11日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】特性温度および連続発振状態の最大出力を大幅に向上できる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n型GaAsから成る基板上に、n型クラッド層(Al組成X=0.48)11、n型導波層(X=0.31)12、n型キャリアブロック層13(X=0.5)、活性層20、p型キャリアブロック層(X=0.5)17、p型導波層(X=0.31)18、およびp型クラッド層(X=0.48)19を順次形成している。また、活性層20はバリア層(X=0.37)16と、2本の量子井戸層15と、量子井戸層15の外側で各キャリアブロック層13、17に最隣接するサイドバリア層14(X=0.37)とで構成される。サイドバリア層14のエネルギーギャップEG1、キャリアブロック層13、17のエネルギーギャップEG2、導波層12、18のエネルギーギャップEG3は、EG2≧EG1>EG3が成立する。

請求項（抜粋）：

量子井戸層、バリア層およびサイドバリア層から成る活性層と、前記活性層の両側に設けられ、前記バリア層よりもエネルギーギャップが大きく屈折率が小さいキャリアブロック層と、前記キャリアブロック層に対して活性層と反対側に設けられ、キャリアブロック層よりもエネルギーギャップが小さく屈折率が大きい導波層と、前記導波層に対して活性層と反対側に設けられ、導波層よりもエネルギーギャップが大きく屈折率が小さいクラッド層とを備えた半導体レーザにおいて、前記キャリアブロック層に最隣接する前記量子井戸層との間のサイドバリア層のエネルギーギャップEG1、前記キャリアブロック層のエネルギーギャップEG2、および前記導波層のエネルギーギャップEG3が、EG2≧EG1>EG3の関係式を満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-067114 出願人：松下電器産業株式会社
波長可変半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-105671 出願人：株式会社東芝
半導体発光素子、半導体レーザ及び半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-284623 出願人：株式会社日立製作所

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