特許
J-GLOBAL ID：200903045796614799

半導体集積回路装置

発明者：
高橋 敏郎

高橋 敏郎 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342519
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173509
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 シングル入力の差動回路を用いた入力回路における動作マージンの大幅な改善を実現した半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 電源電圧に対して小さな信号振幅にされた受信信号がゲートに供給された第1のMOSFETと、上記受信信号の中間値に対応した基準電圧がゲートに供給された第2のMOSFETを含んでシングル入力の差動回路とされた入力回路において、上記受信信号が入力される外部端子に設けられた実質的な静電保護回路を通して上記第1のMOSFETのゲートに伝えられる電源ノイズと実質的に同等の電源ノイズを上記第2のMOSFETのゲートに伝えるダミー回路を設ける。
請求項（抜粋）：
電源電圧に対して小さな信号振幅にされた受信信号が外部端子を介してゲートに供給された第1導電型の第1のMOSFETと、ゲートに上記受信信号の中間値に対応した基準電圧が印加された第1導電型の第2のMOSFETと、上記第1と第2のMOSFETのドレインに設けられ、電流ミラー形態にされた第2導電型の第3と第4のMOSFETとを含み、上記第1のMOSFETと第2のMOSFETのドレイン電流の差電流に対応した出力信号を形成する入力回路と、上記受信信号が入力される外部端子に設けられた実質的な静電保護回路と、上記第2のMOSFETのゲートに設けられ、上記実質的な静電保護回路を通して上記第1のMOSFETのゲートに伝えられる電源ノイズに対して実質的に同一の電源ノイズを上記第2のMOSFETのゲートに伝えるダミー回路とを備えなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (6件)：
H03K 19/0175 ,  G11C 11/417 ,  G11C 11/409 ,  G11C 11/407 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (6件)：
H03K 19/00 101 K ,  G11C 11/34 305 ,  G11C 11/34 354 P ,  G11C 11/34 362 S ,  H01L 27/08 102 F ,  H03K 19/00 101 Q
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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