特許
J-GLOBAL ID：200903045814748803
抵抗スイッチング素子及び界面抵抗型不揮発性メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平山 一幸
, 海津 保三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-269038
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086310
出願日： 2004年09月15日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 強相関電子系物質の電界誘起相転移現象を用いた、低コストなスイッチング素子と、低コスト、大容量の不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 チタンマグネリ相化合物やバナジウムマグネリ相化合物は強相関電子系物質であり、印加電界によって絶縁体相から金属相に、金属相から絶縁体相に可逆的に相転移する。絶縁体相と金属相の抵抗の違いを利用すれば、抵抗スイッチング素子が実現できる。金属相は、電界を除去することによって絶縁体相に戻るので、このままでは不揮発性メモリとならないが、マグネリ相化合物相と酸化物半導体を接合することにより、スイッチして形成された金属相が電界を除去しても保持されるようになり、不揮発性メモリを実現することができる。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
マグネリ相化合物層と、この化合物層の上面に設けた上部電極と、下面に設けた下部電極とを有し、
上記上部電極と下部電極との間に第1の電圧を印加することにより、上記化合物層の電気抵抗を高抵抗から低抵抗、又は、低抵抗から高抵抗にスイッチし、上記第1の電圧を保持することにより、上記低抵抗又は高抵抗を保持し、
上記第1の電圧から第2の電圧まで連続して電圧を下げることにより、又は、上記上部電極と下部電極との間に印加される電圧を除去することにより、上記化合物層の電気抵抗を低抵抗から高抵抗、又は、高抵抗から低抵抗にスイッチすることを特徴とする、抵抗スイッチング素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR25
, 5F083ZA21
審査官引用 (1件)
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(V1-xCrx)O3/TiO2ヘテロ接合の界面抵抗メモリー効果
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