半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062353
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260766
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】狭線幅の半導体レーザを提供する。【解決手段】 InP基板1上に積層された障壁層5の導波路層6と接する部分に、導波路層6と同一導電型のドーピングを実施する。これにより、電流の注入効率を増大して、高出力化を実現する。また、埋込層のキャリア濃度を低減するとともに、井戸層数を低減して、内部損失を減少し、狭線幅化を実現する。

請求項（抜粋）：

InP基板と、前記基板上に成長した導波路層と、井戸層と障壁層よりなる量子井戸活性層と、InPクラッド層よりなり、前記導波路層がInGaAsP(エネルギーバンドギャップEg:1.13<Eg(eV)<1.30)で、前記障壁層がInGaAsP(1.04<Eg(eV)<1.20)で構成されており、共振器長を650μm以上1500μm以下とすることを特徴とした半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (8件)

多重量子井戸半導体レーザ及びそれを用いた光通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-038232 出願人：松下電器産業株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-230040 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-095579 出願人：シャープ株式会社, 古河電気工業株式会社

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