有機半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-112834
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324649
出願日： 2006年04月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】有機半導体材料を用いた半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、半導体層に不純物を添加する方法を提供することを課題とする。【解決手段】有機半導体材料と、n型又はp型の不純物とを共蒸着する。そして不純物を蒸着するに際し、マスクを設け、前記マスクの開閉によって前記不純物の添加量を制御する。具体的には不純物の蒸着源と被蒸着物である基板との間にマスクを設け、前記マスクの開閉によって不純物の添加量を制御する。マスクはシャッターの役割を果たし、マスクが開いているときには不純物が基板に蒸着され、閉じているときはマスクによって蒸着されない。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

有機半導体材料とn型又はp型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、 n型又はp型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転によって前記有機半導体膜への前記n型又はp型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 51/40 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L29/28 310A , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A , H01L29/78 618B

Fターム (39件)：

5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG51 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK08 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (9件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-061195 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機発光材料の蒸着方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-148847 出願人：イーストマンコダックカンパニー
真空蒸着方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-218625 出願人：松下電工株式会社, 城戸淳二, トッキ株式会社

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