張り合わせ基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安倍逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082923
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260774
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】活性層用ウェーハの外周部の面取りエッチング時に、活性層用ウェーハの外周形状が滑らかになる張り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】活性層用ウェーハ1の外周部の研削後の残部1aを、過酸化水素を含むアルカリ性エッチング液を用いてアルカリエッチングする。この結果、活性層用ウェーハ1の外周形状を滑らかにできる。エッチピット形状が小さくなると考えられるからである。よって、その後、ウェーハ1の外周部の欠けや、フォトレジスト膜の除去漏れを原因としたパーティクルの発生を低減できる。また、この過酸化水素の添加により、Si/SiO2のエッチレート比が300以上となるので、アルカリエッチング時、SOI基板での支持基板用ウェーハ2の埋め込み酸化膜および裏面酸化膜を溶損しにくくすることができる。

請求項（抜粋）：

支持基板用ウェーハと活性層用ウェーハとを張り合わせた張り合わせ基板の製造方法において、上記支持基板用ウェーハと上記活性層用ウェーハとを張り合わせ、その後に熱処理する工程と、上記張り合わせ後の活性層用ウェーハの外周部を表面側から一部を残して、研削により面取りする工程と、この研削面取り後、上記活性層用ウェーハの外周部の残部を過酸化水素を含むNaOH,KOHなどのアルカリ性エッチング液によりエッチング除去する工程と、このエッチング除去後、上記活性層用ウェーハの表面を研削・研磨する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 21/304 622 W , H01L 21/02 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

SOI基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-079509 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
シリコンウエーハのエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-202583 出願人：信越半導体株式会社
SOI基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-066027 出願人：住友シチックス株式会社

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