特許
J-GLOBAL ID：200903045955131990

急速熱処理装置及び方法

発明者：
久保 智裕

久保 智裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-244051
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066452
出願日： 2004年08月24日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 遮光性の低い半導体基板の温度が低い状態においても正確な基板温度の測定及び半導体基板に対する高い精度の加熱を可能にする急速熱処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 急速熱処理装置は、半導体基板を加熱する処理チェンバと、処理チェンバ内に配設され基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の表面側を光照射して加熱するランプ部と、基板の裏面側に配設され基板からの輻射光を受光する温度センサと、温度センサの出力結果に基づいて基板温度を算出する温度算出部と、温度算出部により算出された基板温度に基づいてランプ部の照射強度を制御するランプパワー制御部とを備える。ランプパワー制御部は、ランプ部を間欠的に点灯し、ランプ部を点灯していない時に温度センサの受光した輻射光に基づき算出した基板温度に応じて、ランプ部の照射強度を制御する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体基板を加熱する処理チェンバと、前記処理チェンバ内に配設され前記基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された前記基板の表面側を光照射して加熱するランプ部と、前記基板の裏面側に配設され前記基板からの輻射光を受光する温度センサと、前記温度センサの出力結果に応じて前記基板の温度を算出する温度算出部と、前記温度算出部により算出された前記基板の温度に応じて前記ランプ部の照射強度を制御する制御部とを備える急速熱処理装置であって、 前記制御部が、前記ランプ部を間欠的に点灯し、前記ランプ部を点灯していない時に前記温度センサの受光した輻射光に基づき前記温度算出部の算出した基板温度に応じて、前記ランプ部の照射強度を制御することを特徴とする急速熱処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/26 ,  G01J 5/02
FI (2件)：
H01L21/26 T ,  G01J5/02 K
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許第5154512号公報
審査官引用 (6件)
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