特許

J-GLOBAL ID：200903045986987559

半導体製造方法及び半導体製造装置

発明者： 牧田 敏之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069136
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270667
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハに対して半導体製造プロセスを行いながら、同時に半導体ウェハの検査を行う。【解決手段】 複数枚毎に半導体ウェハを半導体製造装置1に設置し、半導体製造装置1内において、各半導体ウェハに対して半導体製造プロセスを行いながら、当該半導体製造プロセスが行われた半導体ウェハのうち、任意の半導体ウェハを当該半導体製造装置1の複数枚毎に設置された位置3とは別の位置5から外部に取り出し、取り出された半導体ウェハの検査を行い、良品と判断された場合には、当該半導体ウェハを再び半導体製造装置1の複数枚毎に設置された位置3とは別の位置5から内部に戻し、半導体製造装置1内において、戻された半導体ウェハを半導体製造プロセスが完了した他の半導体ウェハと共に当該半導体製造装置の複数枚毎に設置された位置3に戻す。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに対して半導体製造プロセスを行いながら、当該半導体ウェハ上に半導体回路を形成する半導体製造方法であって、複数枚毎に上記半導体ウェハを半導体製造装置に設置し、上記半導体製造装置内において、各半導体ウェハに対して半導体製造プロセスを行いながら、当該半導体製造プロセスが行われた半導体ウェハのうち、任意の半導体ウェハを当該半導体製造装置の複数枚毎に設置された位置とは別の位置から外部に取り出し、取り出された上記半導体ウェハの検査を行い、良品と判断された場合には、当該半導体ウェハを再び上記半導体製造装置の複数枚毎に設置された位置とは別の位置から内部に戻し、上記半導体製造装置内において、戻された上記半導体ウェハを上記半導体製造プロセスが完了した他の半導体ウェハと共に、当該半導体製造装置の複数枚毎に設置された位置に戻すことを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/68 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/66 G

Fターム (21件)：

4M106AA01 ,  4M106CA38 ,  4M106CA50 ,  4M106DB18 ,  4M106DG02 ,  4M106DG03 ,  4M106DJ23 ,  4M106DJ38 ,  5F031CA02 ,  5F031DA09 ,  5F031EA14 ,  5F031EA16 ,  5F031FA01 ,  5F031JA49 ,  5F031MA15 ,  5F031MA33 ,  5F045BB08 ,  5F045DQ17 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F045GB04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 塗布、現像装置及び塗布現像処理における基板再生システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-024178   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ウェーハカセット及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-039450   出願人：株式会社ディスコ
• ダイシング装置及びウェーハ検査システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-353131   出願人：株式会社ディスコ
• 半導体ウェハ搬送装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-283279   出願人：株式会社ニデック