特許
J-GLOBAL ID：200903045994571310

超高感度画像検出装置およびその製造方法

発明者：
陽 完治

陽 完治 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 北海道大学

国立大学法人 北海道大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-020265
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210620
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 光子1個が入ったことを高感度で検出できるような超高感度画像検出装置およびその製造方法を実現する。【解決手段】 本発明の画像検出装置1は、量子ドット12を集積したトランジスタ構造を有し、単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット12中の1個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知するミクロ/マクロ変換を行うようになっている。画像検出装置1は、単一光子吸収の前後におけるチャンネル電流の差分を検出することで画像を検出する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
量子ドットを集積したトランジスタ構造を有し、 単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット中の1個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知する、ミクロ/マクロ変換を行うことを特徴とする超高感度画像検出装置。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 27/146
FI (2件)：
H01L31/10 A ,  H01L27/14 A
Fターム (10件)：
4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA09 ,  4M118CB01 ,  5F049MA15 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049WA01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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