特許
J-GLOBAL ID：200903015907619330

量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路

発明者：
宮崎 誠一

宮崎 誠一 について

, 
東 清一郎

東 清一郎 について


出願人/特許権者：
国立大学法人広島大学

国立大学法人広島大学 について


代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091328
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277263
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】高集積・高速の光入力メモリおよび高感度光センサを実現する電界効果トランジスタを得る。【解決手段】Si層上に設けられたトンネルSiO2膜、該トンネルSiO2膜上に設けられたSi量子ドットとSiO2膜を交互に少なくとも2層以上重ねた多段量子ドット層、該多段量子ドット層上に設けられた高誘電率絶縁層、該高誘電率絶縁層上に設けられた不純物半導体または半透明金属からなるゲート電極層、を少なくとも具える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体層上に設けられたトンネルSiO2膜、該トンネルSiO2膜上に設けられたSi量子ドット層とSiO2膜を交互に少なくとも2層以上重ねて形成された多段量子ドット層、多段量子ドット層の上部に設けられた高誘電率絶縁層、該高誘電率絶縁層上に設けられた不純物半導体からなるゲート電極層、を少なくとも具えたことを特徴とする量子ドット電界効果トランジスタ。
IPC (10件)：
H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/146 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L31/10
FI (9件)：
H01L29/06 601D ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/66 S ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/14 A ,  H01L29/78 613B ,  H01L31/10 E ,  H01L29/78 622
Fターム (92件)：
4M118AB01 ,  4M118BA01 ,  4M118BA03 ,  4M118CA09 ,  4M118CA12 ,  4M118CA13 ,  4M118CA40 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118CB20 ,  5F049MA15 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB10 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049QA09 ,  5F049SE01 ,  5F049SS03 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER07 ,  5F083ER19 ,  5F083ER30 ,  5F083FZ01 ,  5F083FZ04 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA08 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA44 ,  5F083NA02 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA53 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD40 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG52 ,  5F110NN62 ,  5F140AA04 ,  5F140AC11 ,  5F140AC20 ,  5F140AC32 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BF03 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140CB01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 電子デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061560   出願人：株式会社東芝
  • メモリ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208765   出願人：ソニー株式会社
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-336787   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (3件)

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